多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法

摘要

本发明提出了多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法，涉及化学机械抛光领域。多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法，包括以下步骤：制备含有FA/O型螯合剂的抛光液；再将抛光液加入抛光机中对图形片进行抛光，得到成品；其中抛光条件为：工作压力为1‑5Psi，抛头转速为88‑108r/min，抛盘转速为100‑110r/min，抛光液流量为200‑300ml/min。本发明利用自钝化理论来实现铜较高的高低速率差，从而达到较高的修正能力，有效抑制了D坑和蚀坑等缺陷的出现，达到平坦化的效果，且FA/O型螯合剂与Cu2+螯合生成的铜胺络合物易溶于水，对环境无污染。