一种高功率白光光源制备方法以及高功率白光光源

摘要

本申请实施例属于半导体照明领域，涉及一种高功率白光光源制备方法以及高功率白光光源。所述一种高功率白光光源制备方法包括如下步骤：制备N型电极层以及衬底；基于所述衬底的表面生长外延结构；基于所述外延结构进行P型电极层以及蓝光芯片的制作；在所述P型电极层的表面并行生长红光荧光层和蓝绿光荧光层；所述红光荧光层在所述P型电极层表面的占比为51％‑90％，所述蓝绿光荧光层在所述P型电极层表面的占比为10％‑49％。本申请有效地提高了红光荧光层和蓝绿光荧光层的可靠度和整体发光效率，本申请还可以避免光子能量的浪费，以有效降低红光荧光层和蓝绿光荧光层温度。