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一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片

摘要

本发明提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片,包括:步骤S1,外置闪存芯片读取待储存数据,将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域,并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记;步骤S2,外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时,根据操作标记判断存储区域中写入的各数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列:若是,则转向步骤S3;若否,则根据操作标记将各数据块按照预设顺序调整,随后转向步骤S3;步骤S3,读取数据序列中最后一次写入的操作标记对应的数据块,并根据数据块匹配得到待储存数据中尚未写入的各数据块作为待储存数据,随后返回步骤S1。有益效果是提高异常掉电后重新上电的数据恢复成功率。

著录项

  • 公开/公告号CN114530169A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力达信息技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202111644916.7

  • 发明设计人 唐捷;余一凡;肖潇;蒋叶娣;

    申请日2021-12-29

  • 分类号G11C5/14;G11C8/06;

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人吴轶淳

  • 地址 201600 上海市松江区九亭中心路1158号11幢101、401室

  • 入库时间 2023-06-19 15:24:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-24

    公开

    发明专利申请公布

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