一种以单一气体为源气体制备碳化硅晶体的方法

摘要

本发明公开了一种以单一气体为源气体制备碳化硅晶体的方法，该方法所采用的设备包括依次通过气体管路连接的低温腔、高温腔、结晶腔；步骤为：(1)以硅烷衍生物气体或氯硅烷衍生物气体作为源气体，通入低温腔，使源气体裂解；(2)然后通过入口气体管路通入载流气体，将低温腔中裂解后的产物带入高温腔，在高温腔中，使CxHy或CmHnClo和Si进行反应，得到SiαCβ气体；(3)高温腔中的SiαCβ气体被载流气体带入结晶腔，SiαCβ气体分子在碳化硅籽晶表面上进行沉积并结晶，最终形成碳化硅晶体。本发明实现了只用单一气体生长碳化硅晶体，相比于比硅烷更加稳定，不会在空气中自燃，因此使用和维护成本、风险大大降低。