一种基于SolidWorks Flow Simulation的SiC功率分析方法

摘要

本发明公开了一种基于SolidWorks Flow Simulation的SiC功率分析方法，包括SiC芯片晶元，所述SiC芯片晶元的底部设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板的底部设有焊接层，所述焊接层的底部设有散热器，所述散热器的底部设有水道壳体，所述水道壳体的两端均进水口管道，所述水道壳体的内部设有冷却液网格控制体积。本发明利用嵌入于三维设计软件SolidWorks中的SolidWorks Flow Simulation直接进行仿真分析，与三维设计软件无缝连接，避免三维模型的导入和导出，本发明通过网格精度级别设置，寻求求解精度和效率间的平衡点，网格无需手动划分，由软件自动划分，且仿真计算结果精度较高，完全适用于工业应用场合，同时流程固定，求解的收敛性好，仿真过程稳定。