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准直窄脉冲高功率激光器封装结构、激光雷达及雷达制品

摘要

本发明涉及准直窄脉冲高功率激光器封装结构,包括发射电路板,发射电路板的一面设置有激光芯片和与激光芯片配合的绑定陶瓷,发射电路板的另一面设置有连接器母座;发射电路板的表面还设置有放电电容、MOS管和预放大电路;应用本发明的封装方式,通过将激光发射芯片裸片绑定在陶瓷片上,再将陶瓷片通过银浆等导电介质固定在一块小型PCB(发射电路板)上,并将配套驱动电路全部集成在该PCB(发射电路板)上,实现大功率、窄脉冲激光发射触发电路,减短电容放电回路,减少PCB走线、器件管脚与焊盘的寄生电容、电感影响,实现电容快速充放电,提高激光发射功率,减小激光发射脉宽,提升基于DTOF的激光测距设备的测距距离和测距精度。

著录项

  • 公开/公告号CN113985426A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市不止技术有限公司;

    申请/专利号CN202111385124.2

  • 发明设计人 朱火林;句鹏;

    申请日2021-11-22

  • 分类号G01S17/10(20200101);G01S7/481(20060101);G01S7/484(20060101);G01S7/4911(20200101);

  • 代理机构44472 深圳市多智汇新知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人鲁华

  • 地址 518000 广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖梅观高速公路东侧彩煌厂办公大楼5层503

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-19

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01S17/10 专利申请号:2021113851242 登记生效日:20230904 变更事项:申请人 变更前权利人:深圳市不止技术有限公司 变更后权利人:深圳玩智商科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:518000 广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖梅观高速公路东侧彩煌厂办公大楼5层503 变更后权利人:518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷七栋A座1602房

    专利申请权、专利权的转移

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