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一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法,涉及新型碳纳米材料、功能复合材料和新型储能材料的制备及应用技术领域,本发明包括如下步骤:S1:在常温条件下,向盛有浓硫酸的反应器中按照鳞片石墨:浓硫酸=1 Kg:50 L的比例加入鳞片石墨,搅拌反应2~8h,然后按照鳞片石墨与高锰酸钾的质量比为1:1的比例缓慢加入高锰酸钾粉末,搅拌反应2~5h获得低氧化石墨混酸液;S2:直接向S1的低氧化石墨混酸液中按照鳞片石墨:H2O2=1 Kg:10~100L的比例加入H2O2溶液,充分搅拌反应0.5~5h。综上所述,本方法制备的石墨烯结构完整、质量好、导电性好、用途广,可广泛应用于导电添加剂、功能化改性复合材料、传感器和储能材料等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN113830757A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川烯时代新材料有限公司;

    申请/专利号CN202010591737.0

  • 发明设计人 陈浩;王山林;

    申请日2020-06-24

  • 分类号C01B32/192(20170101);C01B32/23(20170101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 621000 四川省绵阳市科创区西南科技大学国家大学科技园

  • 入库时间 2023-06-19 13:49:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B32/192 专利申请号:2020105917370 申请日:20200624

    实质审查的生效

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