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一种双钙钛矿单晶及其制备方法和应用、双钙钛矿单晶光电探测器

摘要

本发明提供了一种双钙钛矿单晶及其制备方法和应用、双钙钛矿单晶光电探测器,涉及单晶材料技术领域。本发明提供的Cs2AgErxBi1‑xCl6(x为0~0.9)双钙钛矿单晶的粒度≥1mm。与纳米级单晶相比,本发明提供的双钙钛矿单晶具有更低的缺陷,更高的载流子寿命和迁移率,光致发光性能和环境稳定性优异,应用于光电器件中能够提高光电器件的整体性能;还有利于探究材料的光电特性。进一步的,掺铒双钙钛矿单晶显著提高光电探测的光响应率和探测率。而且,传统的双钙钛矿纳米单晶需制成薄膜再应用于光电器件中,而本发明提供的双钙钛矿单晶可直接应用于光电器件中,无需先制备成膜,应用简单,成本低。

著录项

  • 公开/公告号CN113862785A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北大学;

    申请/专利号CN202111133479.2

  • 申请日2021-09-27

  • 分类号C30B29/12(20060101);C30B7/14(20060101);C30B7/08(20060101);H01L31/102(20060101);H01L31/0224(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人申素霞

  • 地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

  • 入库时间 2023-06-19 13:30:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-29

    授权

    发明专利权授予

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