一种含高温陷阱的光存储发光材料及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种含高温陷阱的光存储发光材料，属于固体发光材料技术领域，其化学式为：(Y1‑x‑yTbxRy)3Al5O12,其中，R选自Sm、Eu中的至少一种，x和y都是摩尔分数，x的取值范围为0.0001≤x≤0.02，y的取值范围为0.00001≤y≤0.01。本发明还提供了上述含高温陷阱的光存储发光材料的制备方法和应用。本发明的含高温陷阱的光存储发光材料，在300℃‑600℃高温区至少存在三个陷阱热释峰，最强热释峰的峰值温度超过370℃，最高温热释峰的峰值超过480℃，克服目前用于光存储的材料陷阱过浅(热释峰值温度小于300℃)导致的存储时间短的问题，经紫外光辐照写入光信息后能够实现室温长期光存储。