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公开/公告号CN113674784A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN202110982620.X
发明设计人 池育德;陈媺妼;陈雲昇;林文章;张琮永;林崇荣;金雅琴;余昕芫;
申请日2021-08-25
分类号G11C13/00(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
入库时间 2023-06-19 13:18:31
机译: 三维非挥发性记忆体装置,包含该记忆体的半导体系统及制造该记忆体的方法
机译: 数据处理系统的操作方法包括将存储器分配起始地址的单元设置为数据存储设备例如存储设备使用的读/写操作单元的起始地址。快闪记忆体
机译: 多时间可编程(MTP)记忆细胞,包括该记忆体的集成电路以及制造该记忆体的方法
机译:系统记忆体
机译:穿戴式记忆体:增强型记忆系统
机译:具有键合SOI的256M和1 Gbit的掩埋电容器DRAM单元记忆体
机译:基于新型记忆体的“ Landau”开关,传感器和执行器的基本设计原理:电极几何形状和操作方式的作用。
机译:研究海洋天然产物包括反周期Humicola fuscoatra中的酸性内酯可重新活化在中央记忆体外模型中潜在的HIV-1表达。CD4 + T细胞
机译:VOLmaX瞬态电磁建模系统,包括随机非正交单元上的子单元插槽和导线