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公开/公告号CN113675357A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 香港科技大学;
申请/专利号CN202110516126.4
发明设计人 董首成;姜毅斌;谭兆霆;陆磊;邓清云;
申请日2021-05-12
分类号H01L51/56(20060101);C23C14/04(20060101);C23C16/04(20060101);
代理机构44588 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王琴;曹玉存
地址 中国香港九龙清水湾
入库时间 2023-06-19 13:18:31
机译: 荫罩材料,其制造方法,由荫罩材料和包括荫罩的显像管构成的荫罩
机译: 用于荫罩的材料,其制造方法,包括该材料的荫罩以及使用该荫罩的显像管
机译:使用新颖的角补偿方案制造用于微米级尺寸的图案化金属沉积的硅荫罩制造
机译:通过以金属网作为荫罩的脉冲激光沉积技术大面积,低成本地制造红外超材料
机译:荫罩高真空化学气相沉积法在薄膜构图上的局限性
机译:PM使用荫罩采用新的金属阴极沉积方法制造的制造
机译:用于高级微光学结构的荫罩有机金属气相外延。
机译:适用于5 µm以下荫罩和10 µm以下交叉指状电极(IDE)制造中的材料的低功率多模态激光微加工
机译:激光微加工覆盖蜡的塑料纸,可作为基于聚甲基丙烯酸甲酯的微流体系统的溅射沉积荫罩和深紫外图案化罩
机译:制造方法和技术研究制造电子模块的覆盖方法。电子模块的制造方法。