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公开/公告号CN113614034A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 电化株式会社;
申请/专利号CN202080022591.6
发明设计人 宫下敏行;中村祐三;
申请日2020-03-26
分类号C01B21/068(20060101);C04B35/593(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人牛蔚然
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 13:09:01
机译: 氮化硅粉末的制造方法,氮化硅粉末以及氮化硅烧结体的制造方法,
机译: 氮化硅粉末,氮化硅烧结体和电路基板以及所述氮化硅粉末的制造方法
机译: 氮化硅粉末,氮化硅烧结体和电路板以及制造氮化硅粉末的方法
机译:通过部分锻造烧结方法制造轻质,高强度,低弹性的氮化硅多孔体
机译:通过部分锻造烧结方法制造轻质,高强度,低模量的氮化硅多孔,通过部分锻造烧结法
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积方法制造的氮氮化硅膜,用于激光干涉仪重力波检测器的涂层
机译:使用低等级Si Powdee制造的高导热率和高强度烧结反应键合氮化硅氮化硅陶瓷
机译:用掺杂的烧结添加剂对等离子体反应的纳米半结晶氮化硅陶瓷进行无压烧结。
机译:具有优异机械性能的氮化硅陶瓷浮球的增材制造
机译:微波和常规加热制造的烧结和烧结反应键合氮化硅性能的比较
机译:开发一种经过统计验证的反应键合氮化硅注射成型方法,烧结反应键合氮化硅和烧结氮化硅。最终报告,1985年7月1日至1986年6月30日