公开/公告号CN113541142A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司;清华大学;
申请/专利号CN202110646207.6
申请日2021-06-10
分类号H02J3/01(20060101);H02J3/36(20060101);H02J3/38(20060101);
代理机构33100 浙江杭州金通专利事务所有限公司;
代理人刘晓春
地址 310014 浙江省杭州市潮王路22号
入库时间 2023-06-19 12:56:12
机译: 磁阻传感器,其产生,界面特性的优化方法和磁阻响应的优化方法
机译: 用于非线性网络仿真的记忆效应产生方法,包括将参数传递给受记忆影响的系统,以利用网络的响应特性来近似存储系统的响应特性。
机译: 信号特性,谐波和非谐波检测方法,包括在条件内动作的逻辑顺序中复位逆同步脉冲,左逆同步脉冲和输出参数