一种多次可编程存储器结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种多次可编程存储器结构及其制造方法，包括：衬底；浮栅，位于所述衬底上；选择栅，位于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；栅介质层，位于所述浮栅上；层间介质层，位于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；第一类导电插塞和第二类导电插塞，位于所述层间介质层中；第一层金属层，位于所述层间介质层上，所述第一层金属层包括第一金属和第二金属，所述第一金属通过第一类导电插塞与所述栅介质层连接；所述第二金属通过第二类导电插塞与所述选择栅连接；其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。本发明提出的多次可编程存储器结构及其制造方法可以提高器件的性能。