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一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片

摘要

本发明公开一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片,所述氧化铝陶瓷基片按重量百分比由99.6~99.8wt%氧化铝和0.2~0.4wt%烧结助剂组成,采用超高压均质技术分散纳米氧化铝粉,然后通过球磨工艺将微量烧结助剂引入剂(0.2~0.4wt%)披覆在氧化铝颗粒表面,运用轧膜工艺制备氧化铝陶瓷生坯片,陶瓷生坯片经等静压处理并排胶后在950~1050℃条件下采用电场辅助低温快速烧技术,显著降低基片烧结温度和烧结时间,从而控制陶瓷晶粒尺寸(0.4~0.6μm)并抑制其高频下的介电损耗(‑4)。本发明所制得的氧化铝陶瓷基片性能优良、制备工艺易控、成本低廉等优点,因此具有广阔的市场前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113149619A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 景德镇陶瓷大学;

    申请/专利号CN202110525141.5

  • 申请日2021-05-14

  • 分类号C04B35/10(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/638(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 333000 江西省景德镇市浮梁县湘湖镇

  • 入库时间 2023-06-19 11:59:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    授权

    发明专利权授予

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