法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/42 专利申请号:2019113190647 申请日:20191219
实质审查的生效
机译: 去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译: 用于去除掺杂低钾碳的氧化硅介电材料中的光刻胶的工艺以及用于去除光刻胶残留物的工艺以及去除光刻胶的工艺
机译: 去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模