一种二碲化钨纳米带的制备方法

摘要

本发明公开了一种二碲化钨纳米带的制备方法。首先将基底的抛光面朝上放置在石墨片上，再将经过氧化处理的钨箔盖在硅片上，基底与钨箔之间放置垫片，以形成类“三明治”结构的微反应腔。本发明在采用空间限域策略的基础上，同时对反应前驱体进行了设计，用氧化处理的钨箔提供钨源，实现了二碲化钨纳米带的可控制备。通过控制钨箔在高温下的氧化时间，实现了二碲化钨纳米带尺寸与形貌的有效调控。同时实现了在蓝宝石、云母、玻璃等不同基底上二碲化钨纳米带的可控生长。本发明能够实现大面积WTe2纳米带的可控制备，为其工业化应用提供了一种新的合成路径。