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一种无缺陷的g-C3N4纳米片、二维g-C3N4纳米片膜及制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种无缺陷的g‑C3N4纳米片、二维g‑C3N4纳米片膜及制备方法与应用。制备步骤如下:三聚氰胺和磷酸溶于水中,水热处理,过滤后通过多元醇和乙醇的混合物作为插入剂加热回流处理层状微棒前体;清洗干燥后在惰性气氛中加热烧结,得到无缺陷的g‑C3N4纳米片;然后再分散在溶剂中,利用简单的真空抽滤的方式将纳米片沉积于基底得到可用于气体分离的二维g‑C3N4纳米片膜。本发明组装的膜展现出优异的气体分离性能,氢气透量可达7.23×10‑7mol m‑2s‑1Pa‑1,应用于氢气与不同动力学直径的气体分子的分离,H2/CO2选择性可达30.2,H2/C3H6选择性过百,具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN112897484A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN202110051238.7

  • 发明设计人 薛健;周燚洒;张娅;

    申请日2021-01-14

  • 分类号C01B21/082(20060101);B01D53/22(20060101);B01D67/00(20060101);B01D71/02(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍;江裕强

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 11:16:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-31

    授权

    发明专利权授予

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