一种高灵敏小型化光电耦合器及其高灵敏处理方法

摘要

本发明公开一种高灵敏小型化光电耦合器及其高灵敏处理方法，一种高绝缘小型化光电耦合器其红外发光二极管芯片由两部分组成，一部分是P型半导体即P极，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体即N极；所述P极电极尺寸为Φ105um，电极尺寸为8654.6um，其灵敏度提升方法为在封装加工过程中引入粗化工艺，再进行封装加工，使本发明在同等CTR值要求、同等成本、同样发射芯片及接收芯片尺寸的前提下，光功率大幅度提升，可以使用更低的HFE光敏三极管芯片，有效提高光电耦合器的反应灵敏度。