公开/公告号CN112158795A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 瑞声声学科技(深圳)有限公司;
申请/专利号CN202011049871.4
申请日2020-09-29
分类号B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);
代理机构44602 深圳紫辰知识产权代理有限公司;
代理人万鹏
地址 518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道6号南京大学深圳产学研大楼A座
入库时间 2023-06-19 09:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-01
授权
发明专利权授予
机译: 一种生产硅片的方法,该硅片包含硅的单晶基板,该硅基板具有正反面和沉积在正反面上的SiGe层
机译: 一种生产硅片的方法,该硅片包含硅石,硅石具有正面和反面,以及沉积在正面的硅层
机译: 一种制备于硅片上的阳极氧化铝膜上的碳纳米管场发射体阵列的制备方法