泡沫硅负极材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种泡沫硅负极材料制备方法，包括以下步骤：取碳酸钙，研磨成50‑100nm粒径大小的碳酸钙粉末；往碳酸钙粉末在400‑500℃温度条件下通入SiH4与Ar气体1‑2.5h，通过气相沉积法得到粉末状的混合物A；其中，SiH4与Ar气体的重量比为3:97‑7:93。将混合物A加入2wt％‑7wt％的HCL溶液中脱模，即得泡沫硅负极材料。本发明通过在纳米碳酸钙表面利用气相沉积法包覆一层硅层，然后利用酸溶液进行脱模得到泡沫硅结构。泡沫硅材料相较于纳米硅材料具有更高的比表面积、良好的结构稳定性以及更稳定的活性材料‑电解质界面，从而在多次循环充放电后，进而限制了SEI膜的过度生产，提高了材料的可逆容量。特别的，疏松多孔的泡沫硅结构能够很好的应对硅体积膨胀带来的影响。