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芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法

摘要

本发明公开一种芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法。该芯片堆叠结构包括第一芯片和第二芯片。第二芯片位于第一芯片上。第一芯片包括第一衬底、第一内连线结构、第一焊垫和第一接触导体。第一内连线结构位于第一衬底的第一表面上。第一焊垫位于第一内连线结构上。第一接触导体位于第一衬底中,且暴露于第一衬底的相对于第一表面的第二表面。第二芯片包括第二衬底、第二内连线结构、第二焊垫和第二接触导体。第二内连线结构位于第二衬底上。第二焊垫位于第二内连线结构上。第二接触导体位于第二衬底中,其中第一接触导体直接实体接触第二焊垫。本发明的芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法的制作工艺简单且具有高制作工艺良率。

著录项

  • 公开/公告号CN112164688A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202011054090.4

  • 发明设计人 林明哲;

    申请日2017-07-21

  • 分类号H01L23/498(20060101);H01L23/48(20060101);H01L25/04(20140101);H01L25/065(20060101);H01L25/07(20060101);H01L25/075(20060101);H01L25/11(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/48(20060101);H01L21/60(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陈小雯

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-13

    授权

    发明专利权授予

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