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嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法

摘要

本发明公开了一种嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法,首先针对电极中存在的可供粒子嵌入的最大数量的物理现象,建立了有空位参与的电极反应模型;建立了有空位存在时的电极动力学Butler‑Volmer方程。同时根据电极和电解液中粒子的扩散方式对应的扩散方程、初始条件和边界条件,使用有限差分方法求解了无量纲化的反应扩散耦合方程并通过计算机编程语言实现,最终得到了嵌入位点电极存在时的循环伏安曲线。本发明提供了一种嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法,得到的循环伏安模拟曲线可以应用于具有嵌入位点电极并且由扫速过快导致的电极表面产生浓度极化现象的实验模拟。

著录项

  • 公开/公告号CN112115578A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN202010805021.6

  • 发明设计人 孙升;张博超;蔡雪凡;张统一;

    申请日2020-08-12

  • 分类号G06F30/20(20200101);G16C20/10(20190101);G06F17/11(20060101);G06F119/08(20200101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-06-19 09:16:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-11

    授权

    发明专利权授予

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