EEPROM的浮栅制造方法及其制造的浮栅

摘要

本发明公开了一种EEPROM的浮栅制造方法，包括如下步骤：第1步，对硅片表面的多晶硅层进行刻蚀，形成浮栅，所述浮栅的侧壁具有70～80度的倾斜角度；所述硅片为：硅衬底上已形成有栅氧化层和隧穿氧化层，硅衬底中已有隔离结构，硅衬底表面已淀积有一层多晶硅；第2步，采用热氧化生长工艺使浮栅表面生长一层氧化硅；第3步，在硅片表面先后淀积一层氮化硅和氧化硅，浮栅上方的氧化硅、氮化硅、氧化硅三者一起构成了ONO层。本发明通过改进浮栅刻蚀的形貌为倾斜，以及以热氧化生长工艺对浮栅上角进行倒角，从而提高了EEPROM的数据保持特性。