一种调整LDMOS晶体管中氧化物场板角度的方法

摘要

本发明提供的一种调整LDMOS晶体管中氧化物场板角度的方法，所述方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成第一氧化膜层；执行第一次退火工艺；形成第二氧化膜层，使得第二氧化膜层与第一氧化膜层构成场氧化膜层；以及湿法刻蚀场氧化膜层，以形成氧化物场板，从而形成LDMOS晶体管。本发明首先形成第一氧化膜层，并对所述第一氧化膜层进行第一次退火工艺，接着在形成第二氧化膜层，使得湿法刻蚀时氧化物场板的角度是可控的，该夹角使得后续在氧化物场板上形成场板时没有出现多晶硅残留的问题，同时还提高了击穿电压，减低了特征导通电阻，从而提高了半导体器件的电气性能。