霍尔传感器和检测霍尔传感器应力影响程度的方法

摘要

本申请涉及电子技术领域，提供了一种霍尔传感器、检测霍尔传感器应力影响程度的方法以及计算机可读存储介质，其中，一种霍尔传感器，包括霍尔感应单元矩阵与霍尔感应层电阻，霍尔感应层电阻分布在每个霍尔感应单元的周围，由于霍尔感应层电阻在衬底上的层次结构与霍尔感应单元在衬底上的层次结构相同，因此霍尔感应层电阻可以作为霍尔感应单元的代替对象，在需要对霍尔感应单元进行应力影响检测时，可以基于分布在每个霍尔感应单元边缘周围的霍尔感应层电阻的电阻值，确定出霍尔传感器的应力影响程度，无需直接对霍尔感应单元进行检测，能够避免过于繁琐的时序方案配置过程，提高了检测效率。