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一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构

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本发明公开一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构，包括碳化硅光导开关、反射结构；所述碳化硅光导开关包括透明电极、SiC材料衬底、背反电极；所述透明电极、SiC材料衬底、背反电极依次由上向下排列；所述反射结构位于所述透明电极上方；所述反射结构与所述透明电极之间的间距L满足：L

著录项

公开/公告号CN111739953A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军国防科技大学;
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申请/专利号CN202010649128.6
发明设计人王朗宁;赵昱鑫;楚旭;荀涛;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军;
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申请日2020-07-08
分类号H01L31/0232(20140101);H01L31/0312(20060101);H01L31/08(20060101);
代理机构11901 北京盛询知识产权代理有限公司;
代理人张海青
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2023-06-19 08:28:36

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