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公开/公告号CN111659434A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-15
原文格式PDF
申请/专利权人 东北大学;
申请/专利号CN202010380899.X
发明设计人 王敏;金重月;李志林;
申请日2020-05-08
分类号B01J27/24(20060101);B01J35/10(20060101);B01J37/08(20060101);C02F1/30(20060101);
代理机构21200 大连理工大学专利中心;
代理人陈玲玉
地址 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
入库时间 2023-06-19 08:16:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-07
授权
发明专利权授予
机译: 硅纳米片,纳米片溶液及其制备方法,含纳米片的复合材料和纳米片聚集体
机译: 六方氮化硼纳米片/陶瓷纳米复合材料及其制备方法,六方氮化硼纳米片/陶瓷纳米复合材料及其制备方法
机译: 硅纳米片,纳米片的解决方案及其生产方法,含纳米片的复合材料和纳米片的聚集体
机译:氮化碳和硫掺杂的氮化碳异质结纳米片的生物分子辅助合成:一种用于光电化学应用的有效异质结光催化剂
机译:CUO量子点/ WO3纳米片0D / 2D Z方案异质结具有增强的光催化二氧化碳减少活性在可见光下的增强
机译:通过电镀和热氧化工艺制造的基于p-CuO纳米线/ n-ZnO纳米片异质结的近紫外传感器
机译:CuO纳米线上TiO2纳米片的分层异质结构,提高光催化性能
机译:调整用于二氧化碳转化的CuO和Fe 2O3纳米片的光学和催化性能
机译:生物分子辅助合成氮化碳和硫掺杂氮化碳异质结纳米片:用于光电化学应用的高效异质结光催化剂
机译:用于高级电子和光学特性的氧化铜(CuO)2-D纳米片。