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公开/公告号CN111640858A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN202010337131.4
发明设计人 赵巍胜;程厚义;曹凯华;王戈飞;
申请日2020-04-26
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);G11C11/16(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人赵平;周永君
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2023-06-19 08:11:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L43/08 专利申请号:2020103371314 申请公布日:20200908
发明专利申请公布后的驳回
机译: 磁隧道结装置,包括游离磁沟层和平面参考磁性层
机译: 磁隧道结装置,包括自由磁沟槽层和平面参考磁性层
机译: 具有改进的参考层稳定性的磁隧道结存储器元件,用于磁随机访问存储器
机译:磁传感器性能在磁隧道结中使用平面内或垂直磁化的合成反铁磁性参考层评估的磁隧道结中的磁传感器性能
机译:具有垂直磁易轴的磁隧道结中自由层和参考层的磁化模式与平面内磁场的关系
机译:调整磁隧道结中参考层的磁微结构
机译:不同缓冲器对磁隧道交叉路口磁隧道结中磁死层,临界电流和热稳定性的影响
机译:氧化镁基磁隧道结中层间交换耦合的分子束外延生长和磁光研究
机译:作者更正:使用单个SyAF Co / Pt n层的基于Co2Fe6B2顶层自由层的基于MgO的垂直双隧道垂直磁隧道结自旋阀结构
机译:具有交换偏置的合成反铁磁固定层的mgO基磁隧道结的磁循环下的磁稳定性
机译:使用非晶材料作为参考和自由层的磁隧道结。