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石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法

摘要

本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结;沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成;源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带;沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下,沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带,区域态密度为0,起到抑制关态电流的作用;开态情况下,沟道内有电流,沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带,沟道一段内无带隙,促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应,提升开态电流。

著录项

  • 公开/公告号CN109037321A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201810647726.2

  • 申请日2018-06-22

  • 分类号H01L29/739(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/165(20060101);H01L21/331(20060101);

  • 代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人黄前泽

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2023-06-19 07:46:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20180622

    实质审查的生效

  • 2018-12-18

    公开

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