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一种高介电常数的压敏-电容双功能二氧化钛陶瓷及其制备方法

摘要

一种高介电常数的压敏‑电容双功能二氧化钛陶瓷及其制备方法,属于功能陶瓷技术领域,其特征是以微米二氧化钛为主体,加入微米添加物二氧化硅、五氧化二铌、氧化钬,经球磨、过滤、干燥、造粒、过筛、压制成小圆片,并在400℃保温排胶1‑1.5h再升温到1350‑1450℃烧结后随炉冷却至室温,再经过抛光、喷涂银浆,600‑700℃保温一段时间制备而成。五氧化二铌使二氧化钛陶瓷具有半导体特性,二氧化硅促使陶瓷晶粒均匀,氧化钬可改善电学性质。此类二氧化钛陶瓷具有良好的综合电学性能,兼具压敏‑电容双功能,压敏电位梯度为3.3‑8.6V/mm,相对介电常数为7.4×104‑1.88×105(1KHz),非线性系数在4.2‑5.5之间,同时具有制备工艺简单、稳定性好等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109020535A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201810991691.4

  • 发明设计人 朱达川;彭凤超;

    申请日2018-08-29

  • 分类号C04B35/46(20060101);C04B35/622(20060101);C04B41/88(20060101);H01C7/115(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-06-19 07:44:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/46 申请日:20180829

    实质审查的生效

  • 2018-12-18

    公开

    公开

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