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公开/公告号CN108866488A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳大学;
申请/专利号CN201810851462.2
发明设计人 黄传威;邱培琪;金菲;
申请日2018-07-30
分类号
代理机构温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人汤时达
地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号
入库时间 2023-06-19 07:18:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/28 申请日:20180730
实质审查的生效
2018-11-23
公开
机译: 电容器电介质的组成,能够在低温下形成高电容量和热处理的电容器以及电介质的制造方法
机译: 一种钙钛矿结构的制备方法,其具有用于电容器或电致伸缩振动器的电介质,以及具有该电介质的电容器
机译: MIM电容器高k电介质可提高电容密度
机译:一种可扩展,高通量和环境友好的方法,可在高温下显着改善电容性能的高分子电介质
机译:一种新型钴六氰基甲甲醛/多壁碳纳米管纳米复合材料:自发组装合成及应用作为电极材料,具有显着提高超级电容器电容的电容
机译:一种低压操作的单壁碳纳米管薄膜晶体管,包含通过逐层沉积生产的高电容栅极电介质层
机译:一种双同轴传感器系统,用于高温下固体材料的电介质测量
机译:用于印刷电子的新型,低成本,高电容纳米复合电介质
机译:通过薄型转型提高石墨箔/聚苯胺电极材料的性能:PSS层用于柔性高功率超级电容器的应用
机译:一种自支撑的,柔软的,无粘合剂的伪超级电容器电极材料,由空心的荚膜聚吡咯纤维制成,具有高电容和循环稳定性
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。