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单一芯片磁性传感器及其激光加热辅助退火装置与方法

摘要

本发明公开了一种单一芯片磁性传感器及其激光加热辅助退火装置与方法,它包括 :a )磁性薄膜在强磁场中退火以使磁性薄膜的钉扎层的磁矩朝向同一个方向; b )将磁性薄膜固定放置在可移动平台的夹具上; c )打开激光源以发射出激光束,激光束经由光衰减器得以衰减,衰减后的激光束经由反光镜以改变方向,改变方向后的激光束经由聚焦物镜得以聚焦成光斑; d )移动可移动平台以使激光束聚焦后的光斑对准磁性薄膜以使激光束对磁性薄膜进行加热; e )调节设置在可移动平台上的电磁铁的磁场强度以翻转磁性薄膜的加热区域的磁畴。 f )对磁性薄膜进行切片,并将切片好的磁性薄膜绑定成一体。

著录项

  • 公开/公告号CN102208530B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏多维科技有限公司;

    申请/专利号CN201110134982.X

  • 申请日2011-05-24

  • 分类号H01L43/12(20060101);H01L43/08(20060101);H01L27/22(20060101);G01R33/09(20060101);

  • 代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;

  • 代理人孙仿卫;李艳

  • 地址 215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-23

    授权

    授权

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20110524

    实质审查的生效

  • 2011-10-05

    公开

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