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一种降低热插拔功能模块中MOSFET损耗的方法及装置

摘要

一种降低热插拔功能模块中MOSFET损耗的方法,通过Q1、Q2、Q3共3路MOSFET通路来降低MOSFET损耗;具体包括:在上下电的瞬间导通Q3MOSFET通路,关闭Q1MOSFET通路和Q2MOSFET通路;在正常工作时,关闭Q3MOSFET通路,导通Q1MOSFET通路和Q2MOSFET通路。还包括一种降低热插拔功能模块中MOSFET损耗的装置。在不影响基本热插拔功能的情况下,使热插拔MOSFET损耗降低,而增加的一个MOSFET的设计成本基本可以忽略不计,从而,提高了服务器的功耗性能和降低了服务器的成本。

著录项

  • 公开/公告号CN107562175A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 郑州云海信息技术有限公司;

    申请/专利号CN201710797139.7

  • 发明设计人 吴福宽;

    申请日2017-09-06

  • 分类号

  • 代理机构济南诚智商标专利事务所有限公司;

  • 代理人王汝银

  • 地址 450018 河南省郑州市郑东新区心怡路278号16层1601室

  • 入库时间 2023-06-19 04:17:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F1/32 申请日:20170906

    实质审查的生效

  • 2018-01-09

    公开

    公开

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