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一种提高N型BiTeSe半导体的热电优值及制备效率的制备方法

摘要

本发明公开了一种提高N型BiTeSe半导体的热电优值及制备效率的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)以Bi,Te,Se颗粒和KI粉末为原料,按照Bi

著录项

  • 公开/公告号CN107275469A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201710497057.0

  • 发明设计人 祖方遒;朱彬;王小宇;余愿;高娜;

    申请日2017-06-26

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈尚林

  • 地址 230001 安徽省合肥市屯溪路193号

  • 入库时间 2023-06-19 03:33:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/34 申请日:20170626

    实质审查的生效

  • 2017-10-20

    公开

    公开

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