一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法

摘要

本发明属于半导体及微电子器件领域，特别涉及一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的锌盐、锡盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液；制备铟镓锌氧薄膜：将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理，即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜。在铟镓锌氧透明半导体薄膜上沉积源漏电极，即得到铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明所得铟镓锌氧薄膜晶体管性能高，在信息电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。