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一种软/硬磁交换耦合结构

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本发明涉及磁性材料与元器件领域，具体涉及一种软/硬磁交换耦合结构。本发明通过将现有嵌入型软/硬磁交换耦合结构中的硬磁材料分为两部分且由软磁材料层隔离形成新的软/硬磁交换耦合结构，通过微磁学模拟可见该结构能够有效降低高磁晶各向异性常数材料的矫顽力，且矩形度较好。本发明结构通过规则间隔排列应用于磁存储中，且对于磁晶各向异性常数Ku值高达7×10

著录项

公开/公告号CN106024030A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-12

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201610308998.0
发明设计人陆海鹏;侯志华;毕美;王昕;谢建良;邓龙江;
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申请日2016-05-11
分类号G11B5/667;
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人张杨
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 00:39:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-10

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11B5/667 申请公布日:20161012 申请日:20160511

发明专利申请公布后的驳回
2016-11-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/667 申请日:20160511

实质审查的生效
2016-10-12

公开

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1. 一种软/硬磁交换耦合结构 [P] . 中国专利： CN106024030A . 2016-10-12
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机译：硬磁交换耦合复合结构和垂直磁记录介质，包括相同的结构
5. HARD MAGNETIC EXCHANGE-COUPLED COMPOSITE STRUCTURE AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM INCLUDING SAME [P] . 韩国专利： KR20150010520A . 2015-01-28

机译：硬磁交换耦合复合结构和垂直磁记录介质，包括相同