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阻变式存储器单元及其制造方法和阻变式存储器

摘要

本公开涉及一种阻变式存储器单元及其制造方法和阻变式存储器。该阻变式存储器单元包括下电极;上电极;以及介于上电极和下电极之间的多层重复结构,每层重复结构包括层叠的由高介电材料形成的高介电材料层和由所述高介电材料包含的金属形成的金属层。通过上述结构的阻变式存储器单元,能够减小阻变式电阻器的编程电流并缩短阻变式电阻器的编程时间。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-05

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20160420 申请日:20140923

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20140923

    实质审查的生效

  • 2016-04-20

    公开

    公开

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