低温多晶硅薄膜及晶体管的制备方法、激光晶化装置

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法、激光晶化装置，属于显示技术领域。本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基底上方形成非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，以及对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，以形成低温多晶硅薄膜。由于本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法不仅可以对非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，而且还对基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，对基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火的可以对非晶硅薄膜进行保温，这样可以延长多晶硅的结晶时间，可获得更大尺寸的晶粒，提高载流子迁移率，降低漏电流。