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基于数字电位器的忆阻器仿真器电路

摘要

本发明公开了一种基于数字电位器的忆阻器仿真器电路。本发明根据HP实验室TiO2忆阻器的数学模型,对数学模型进行离散分析,获得了忆阻器数学模型的离散模型,根据所得出的离散数学模型,利用控制电路和数字电位器实现惠普实验室忆阻器模型。本发明提供的忆阻器仿真器包括数字电位器、高品质的仪表差分放大器、单片机。在无法获得纳米尺度单个孤立忆阻器器件的情况下,本发明提供的忆阻器仿真器可代替实际TiO2忆阻器进行忆阻器相关电路的设计与实验,也可用于其他需要忆阻器的领域。

著录项

  • 公开/公告号CN105450210A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201510967269.1

  • 发明设计人 王光义;袁方;王晋;彭存建;张祥;

    申请日2015-12-18

  • 分类号H03K19/00(20060101);G11C13/00(20060101);

  • 代理机构33100 浙江杭州金通专利事务所有限公司;

  • 代理人王佳健

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2023-12-18 15:16:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H03K19/00 申请公布日:20160330 申请日:20151218

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-04-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/00 申请日:20151218

    实质审查的生效

  • 2016-03-30

    公开

    公开

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