法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-13
专利权的转移 IPC(主分类):C01G15/00 登记生效日:20181024 变更前: 变更后: 申请日:20150729
专利申请权、专利权的转移
2018-09-07
专利权的转移 IPC(主分类):C01G15/00 登记生效日:20180817 变更前: 变更后: 申请日:20150729
专利申请权、专利权的转移
2018-01-19
专利权的转移 IPC(主分类):C01G15/00 登记生效日:20180103 变更前: 变更后: 申请日:20150729
专利申请权、专利权的转移
2018-01-05
专利权的转移 IPC(主分类):C01G15/00 登记生效日:20171218 变更前: 变更后: 申请日:20150729
专利申请权、专利权的转移
2017-03-22
授权
授权
2016-01-27
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G15/00 申请日:20150729
实质审查的生效
2015-12-30
公开
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技术领域
本发明涉及一种Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的制备方法,尤其是一种采用化学气相沉积(CVD)法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法。
背景技术
β-Ga2O3是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度达4.9eV,是目前所知道的禁带宽度最大的氧化物透明材料。由于其具有优良的电学、光学、传导及热稳定性能,使其在光电器件、紫外探测器和气敏传感器等多个领域都有着广阔的应用前景。但由于本征β-Ga2O3是n型半导体材料,为了实现β-Ga2O3纳米材料在光电器件上的应用,p型β-Ga2O3纳米材料的制备必不可少。化学气相沉积(CVD)
方法具有设备简单、操作容易、生产成本低等优势,已广泛用于纳米材料的制备。但由于p型β-Ga2O3纳米材料掺杂较难,且纳米材料受生长条件影响较大,因此,迄今为止未见采用CVD方法以镓源和锌源来生长Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的相关文献报道。
发明内容
本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题,提供一种利用化学气相沉积(CVD)法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法。
本发明的技术解决方案是:一种采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法,其特征在于按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为1~50nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金、银、铂中的一种;
b.将镓源和锌源按质量比2~100:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度至少为99%的镓单质或镓的固态化合物;所述锌源为锌粉或氧化锌粉末与碳粉的混合粉,所述混合粉中氧化锌粉末与碳粉的质量比为2~10:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料1~2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为50~500ml/min;当加热温度达到600~1100℃时通入氧气,氧气流量为1~5ml/min,保持15~30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
本发明是利用化学气相沉积方法,将金属催化剂蒸镀于衬底上,在金属催化剂的作用下,完成锌掺杂p型β-Ga2O3纳米线的制备,具有设备简单、操作容易、生产成本低等优点,克服p型β-Ga2O3纳米线制备困难的问题。
附图说明
图1是本发明实施例1所得样品的扫描电子显微镜照片。
图2是本发明实施例2所得样品的扫描电子显微镜照片。
图3是本发明实施例3所得样品的扫描电子显微镜照片。
图4是本发明实施例4所得样品的扫描电子显微镜照片。
图5是本发明实施例5所得样品的扫描电子显微镜照片。
图6是本发明实施例6所得样品的扫描电子显微镜照片。
图7是本发明实施例7所得样品的扫描电子显微镜照片。
图8是本发明对比例1所得样品的扫描电子显微镜照片。
图9是本发明对比例2所得样品的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
实施例1~7及对比例1~2系采用现有的简单化学气相沉积设备,如管式炉等。衬底采用蓝宝石衬底,衬底的清洗方法亦同现有技术,
实施例1:
按如下步骤进行:
a.首先在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉末与碳粉的混合粉,氧化锌粉末与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料1cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到00℃时通入氧气,氧气流量为2ml/min,保持15分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图1所示。
实施例2:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比7:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉末与碳粉的混合粉,氧化锌粉末与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料1cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为2ml/min,保持15分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图2所示。
实施例3:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比5:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉末与碳粉的混合粉,氧化锌粉末与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料1cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为2ml/min,保持15分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图3所示。
通过扫描电子显微镜可以看出本发明实施例1、2、3的样品表面为纳米线状结构,并且发现随着锌粉量的增加纳米线的尺寸变得不均匀。此外,在能量色散谱中除了存在Ga与O信号外,也检测到了Zn元素的存在,并且随着单质镓与氧化锌粉末和碳粉的混合粉按质量比的降低,Zn的摩尔百分含量也随之增加。
实施例4:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉与碳粉的混合粉,氧化锌粉与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为1ml/min,保持30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图4所示。
实施例5:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉与碳粉的混合粉,氧化锌粉与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为2ml/min,保持30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图5所示。
实施例6:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉与碳粉的混合粉,氧化锌粉与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为3ml/min,保持30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图6所示。
实施例7:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉与碳粉的混合粉,氧化锌粉与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为5ml/min,保持30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图7所示。
通过扫描电子显微镜可以看出本发明实施例4、5、6、7制备的样品表面为纳米线状结构,同时可以看出氧气流量对样品的表面形貌影响较大。
对比例1:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉与碳粉的混合粉,氧化锌粉与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为7ml/min,保持30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图8所示。
对比例2:
按如下步骤进行:
a.在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为20nm的金属催化剂,所述金属催化剂为金;
b.将镓源和锌源按质量比10:1充分混合制成反应源材料,所述镓源为纯度为99%的单质镓;所述锌源为氧化锌粉与碳粉的混合粉,氧化锌粉与碳粉的质量比为7:1;
c.将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内,然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区,衬底位于气流下游距离反应源材料2cm处,通入高纯度氩气为载气,氩气流量为200ml/min;当加热温度达到900℃时通入氧气,氧气流量为10ml/min,保持30分钟;
d.关闭氧气,保持氩气流量,降温至100℃以下,取出样品。
所得样品的扫描电子显微镜照片如图9所示。
通过扫描电子显微镜可以看出本发明对比例1、2的样品表面为薄膜结构,证实了氧气流量对样品的表面形貌影响较大,随着氧气量的增加,样品表面的形貌由纳米线逐渐转变为薄膜结构。
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