首页> 中国专利> 沉积光伏器件用的微晶硅层的方法与设备

沉积光伏器件用的微晶硅层的方法与设备

摘要

本发明提供一种具有改良沉积速率与良好膜层品质的微晶硅层沉积方法。此外,也提供一种具有此微晶硅层的光伏(PV)电池。在一实施方式中,此方法包含以大于每分钟约20nm的沉积速率在基板上沉积微晶硅层,其中该微晶硅层的结晶体积在约20%到80%之间。

著录项

  • 公开/公告号CN101322251B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN200780000417.6

  • 申请日2007-06-20

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-08-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/00 授权公告日:20121128 终止日期:20140620 申请日:20070620

    专利权的终止

  • 2015-08-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/00 授权公告日:20121128 终止日期:20140620 申请日:20070620

    专利权的终止

  • 2012-11-28

    授权

    授权

  • 2012-11-28

    授权

    授权

  • 2012-01-04

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/00 变更前: 变更后: 申请日:20070620

    著录事项变更

  • 2012-01-04

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/00 变更前: 变更后: 申请日:20070620

    著录事项变更

  • 2009-08-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-08-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-10

    公开

    公开

  • 2008-12-10

    公开

    公开

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