一种具有新电极结构的四元系发光二极管的制作方法

摘要

本发明公开一种具有新电极结构的四元系发光二极管的制作方法，包括以下步骤：一，在基板上生长发光结构，该发光结构表层为高掺杂的GaP，掺杂浓度大于1.0E19；二，在发光结构上制作第一电极，第一电极材料为铝或/和钛金属材料；三，在发光结构上通过曝光、显影及蚀刻工艺制作电极图形；四，通过热处理方式使第一电极与发光结构融合，热处理温度介于200℃-1000℃；五，在基板另一面制作第二电极。本发明用不含黄金的电极结构取代有贵金属黄金组成的电极结构，可以降低电极材料使用成本。