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钕铁硼薄片的热处理方法

摘要

本发明提供了一种钕铁硼薄片的热处理方法,所述热处理方法包括如下步骤:(1)在15Kg真空熔炼炉中将高温钕铁硼合金熔液通过冷却辊快速甩成速凝薄片;(2)充分冷却取出后,将速凝薄片装入带盖铁盒,放入真空实验烧结炉;(3)对速凝薄片在真空环境下在温度为700℃~1000℃进行等温热处理;(4)经氢化、气流磨制成VMD为5μm~8μm的微粉后,用压机垂直压制成块坯状;以及(5)经烧结、时效,制成钕铁硼磁体毛坯。通过本发明的热处理方法提供了烧结磁体的剩磁Br、磁能积(BH)max,经热处理后的磁体剩磁Br提高约0.02-0.3KGs,磁能积(BH)max提高约0.2-2MGOe。

著录项

  • 公开/公告号CN104630422A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310574776.X

  • 发明设计人 刘秀琴;

    申请日2013-11-14

  • 分类号C21D1/20;C21D1/773;C21D9/52;B22D11/06;B22F3/16;

  • 代理机构北京乾诚五洲知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人付晓青

  • 地址 300457 天津市河西区经济技术开发区洪泽路22号

  • 入库时间 2023-12-18 08:44:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-30

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C21D1/20 申请公布日:20150520 申请日:20131114

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-05-20

    公开

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