多层垛积金属纳米球阵列及其制备方法

摘要

本发明提供了一种多层垛积金属纳米球阵列的制备方法，包括下列步骤：（1）在洁净的衬底上利用镀膜工艺生长2nm-10nm的第一金属膜；（2）将步骤（1）得到的衬底进行第一次退火；（3）在步骤（2）得到的衬底上利用原子沉积技术生长厚度为1nm-10nm的氧化铝；（4）在步骤（3）得到的衬底上利用镀膜工艺生长2nm-10nm的第二金属膜；（5）将步骤（4）得到的衬底进行第二次退火。本发明能够实现大面积的双层垛积金属纳米球阵列的制备，并且可重复性和一致性好。