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一种在金属基体上实现氧化物陶瓷膜层冶金结合的方法

摘要

一种在金属基体上实现氧化物陶瓷膜层冶金结合的方法,它涉及金属基体与陶瓷膜层的连接方法。本发明要解决现有的氧化物陶瓷膜层与金属基体之间的结合强度低,难以形成膜层与基体冶金结合的问题。方法按以下步骤进行:一、清洗金属基体;二、在步骤一所得的金属基体上制备一层活性材料层;三、在步骤二制备的活性材料层上覆盖功能膜层;四、连接活性材料层和功能膜层,在连接温度为750℃~1400℃的条件下,保温10~40min,完成氧化物陶瓷膜层与金属基体的冶金结合。本发明具有如下优势:膜层与基体之间为冶金结合,结合强度高;膜层与基体之间的热应力低;膜层质量好,不存在裂纹等缺陷。本发明用于金属基体与陶瓷膜层的连接。

著录项

  • 公开/公告号CN102634795A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201210146045.0

  • 发明设计人 王浪平;王小峰;陆洋;姜巍;

    申请日2012-05-11

  • 分类号C23C28/00;

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人韩末洙

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-12-18 06:11:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C28/00 申请公布日:20120815 申请日:20120511

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-10-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C28/00 申请日:20120511

    实质审查的生效

  • 2012-08-15

    公开

    公开

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