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硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法

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摘要

本发明提供了一种硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法，该晶体管自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-02-10

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20120711 申请日:20120214

发明专利申请公布后的驳回
2012-09-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20120214

实质审查的生效
2012-07-11

公开

公开

1. 硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法 [P] . 中国专利： CN102569407A . 2012-07-11
2. 硅基石墨烯场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN202633318U . 2012.12.26
3. Method of making graphene / nanostructure FET with self-aligned contact and gate zone and graphene / nanostructure FET [P] . 德国专利： DE112011100901B4 . 2015-10-22

机译：具有自对准接触和栅极区的石墨烯/纳米结构场效应晶体管的制造方法以及石墨烯/纳米结构场效应晶体管
4. METHOD FOR MANUFACTURING GRAPHENE USING LASER, GRAPHENE MANUFACTURED BY THE SAME, AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME CAPABLE OF SUBLIMATING SILICON ON A SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND GROWING GRAPHENE [P] . 韩国专利： KR20120029663A . 2012-03-27

机译：使用激光制造石墨烯的方法，由其制造的石墨烯和在碳化硅基质上生长硅的能力相同的设备以及生长石墨烯的装置
5. METHOD FOR EXFOLIATING AND TRANSFERRING GRAPHENE FROM A DOPED SILICON CARBIDE SUBSTRATE TO ANOTHER SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2020031675A1 . 2020-01-30

机译：石墨烯从掺杂碳化硅基质中富集和转移石墨烯的方法