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实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种实现与p型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法,其特征是电极是以Cu膜和A膜构成的Cu/A复合电极,其中A膜为Au膜、Ni膜或Pt膜,复合电极中与p型ZnS材料相接触的是Cu膜,外层为A膜。通过电子束蒸发的方式首先在p型ZnS材料上形成Cu膜,再在Cu膜的表面形成A膜。本发明方法解决了金属电极与p型ZnS准一维纳米材料直接形成欧姆接触的问题,可用于p型ZnS准一维纳米材料相关器件制备与研究,电极制备方法简单,可靠,易于操作。

著录项

  • 公开/公告号CN102544075A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201010592449.3

  • 申请日2010-12-16

  • 分类号H01L29/45;H01L21/44;H01L21/443;B82Y40/00;

  • 代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人何梅生

  • 地址 230009 安徽省合肥市屯溪路193号

  • 入库时间 2023-12-18 05:43:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/45 申请公布日:20120704 申请日:20101216

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/45 申请日:20101216

    实质审查的生效

  • 2012-07-04

    公开

    公开

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