对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路

摘要

公开了一种对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路包括带电流源的三极管模型和NMOS管；所述三极管模型并联到所述NMOS管上；所述三极管模型的三极管的发射极连接所述NMOS管源极，基极连接所述NMOS管体引出，集电极连接所述NMOS管漏极。本发明通过采用由带电流源的三极管模型和NMOS管等构成的仿真分析电路，提供了一种针对PDSOI器件单粒子翻转仿真分析方法，实现了利用电路仿真代替TCAD二维仿真分析单粒子翻转效应，加大了单粒子翻转分析对象的规模，并使得分析更加快捷，很大程度提高工作效率。