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具有失能电路的存储器及使存储器失能的方法

摘要

本发明公开一种具有失能电路的存储器包含一存储器阵列以及一失能电路。该存储器阵列包含一数据输出端以及一输出致能端。该失能电路耦接于该数据输出端与该输出致能端。该失能电路包含一熔丝以及一输出端,当该熔丝未被烧断时,该失能电路根据该输出致能端以及该数据输出端的逻辑状态决定该输出端的逻辑状态,当该熔丝被烧断时,该失能电路使该输出端为一高阻抗状态。如此,外部电路便无法对存储器阵列进行读取或写入。本发明同时公开一种使存储器失能的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102034830B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 钰创科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201010539237.9

  • 发明设计人 王释兴;袁德铭;

    申请日2010-11-03

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁挥

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-12

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20101103

    实质审查的生效

  • 2011-04-27

    公开

    公开

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